场效应管的分类
场效应管可分为两类：一类足结型场效应管，另一类是绝缘栅型场效应管，也称MOS管。结型场效应管依据其沟道所采用的半导体资料，又分为N沟道和P沟道两种；绝缘栅型场效应管除有N沟道和P沟道之格外，还有加强型与耗尽型之分。如图6-2所示。
1．结型场效应管(简称JFET)
N沟道结型场效应管的基体是一块N型硅资料。从基体引出两个电极分别叫源极(s)和漏极(D)。在基体两边各附一小片P型资料，其引出的电极叫栅极(G)。这样，在沟道和栅极之间构成厂两个PN结，当栅极开路时，沟道就相当于一个电阻，不同型号的管子其阻值相同，普通大约为数百欧到千欧。图6-3所示为结型场效应管的构造与符号。
2．绝缘栅型场效应管(简称MOSFET)
依据绝缘层所用资料之不同，绝缘栅型场效应管有多品种型，目前应用最普遍的一种是以二氧化硅(Si02)为绝缘层的金属—氧化物—半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)场效应管，简称MOS场效应管(MOSFET)。
绝缘栅型场效应管分为加强型与耗尽型，每一类又有N沟道、P沟道之分。
绝缘栅型场效应管的特性是输人电阻高，便于做成集成电路。在一块N型硅片上有两个相距很近浓度很高的P扩散区，分别为源极和漏极。在源区与漏区之间的硅片上，有一层绝缘二氧化硅，绝缘层上掩盖着金属铝，这就是栅极。栅极和其他电极之间是绝缘的，所以称为绝缘栅型场效应管。由于源、栅之间有一层氧化层，这种管子根本上没有栅极电流，因而输入阻抗十分高。图6-4所示为绝缘栅型场效应管的构造与场效应管符号。
相关搜索：
mos场效应管 场效应管符号 绝缘栅型场效应管
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
关注KIA半导体工程专辑请搜微信号:“KIA半导体”或点击本文下方图片扫一扫进入官方微信“关注”
长按二维码识别关注
