场效应晶体管通常简称为场效应管，是—种应用场效应原理工作的半导体器件，外形如图4-21所示。和普通双极型晶体管相比拟，场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易十集成等特性，得到了越来越普遍的应用。
场效应管的品种很多，主要分为结型场效应管和绝缘栅场效应管两人类，又都有N沟道和P沟道之分。
绝缘栅场效应管也叫做金属氧化物半导体场效应管，简称为MOS场效应管，分为耗尽型MOS管和加强型MOS管。
场效应管还有单栅极管和双栅极管之分。双栅场效应管具有两个相互独立的栅极G1和G2，从构造上看相当于由两个单栅场效应管串联而成，其输出电流的变化遭到两个栅极电压的控制。双栅场效应管的这种特性，在作为高频放大器、增益控制放大器、混频器和解调器运用时会带来很大便当。
场效应管有哪些特性及主要用处？
场效应管由于具有输入阻抗十分高（可达109一lO15Ω）、噪声低、动态变化范围大和温度系数小，且为电压控制元件等优点，因此应用也较为普遍。
场效应管分结型和绝缘栅(即MOS)型两大类。
(1)场效应管的图形和文字符号及外形(见图3-8)
其中，图3-8 (a)为N沟道绝缘栅加强型晶体管图形和文字符号；图3-8 (b)为N沟道绝缘栅耗尽型晶体管图形和文字符号；图3-8(c)为N沟道结型晶体管图形和文字符号；图3-8 (d)为P沟道结型晶体管图形和文字符号，图3-8(e)~(g)为场效应晶体管的外形，图3-8(h)~(k)为场效应晶体管的管脚。
(2)场效应管的特性及用处
常用场效应管的特性及主要用处见表3-8。
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