MOS管半桥电路-关键参数计算方法-KIA MOS管
半桥电路-参数计算
MOS管选型需要满足几个要求：
1.足够的漏-源电压 VDS
2.足够的漏极电流 ID
3.快速开关的能力和开通、关断延时
4.低的导通电阻Rds(on)
例：如图，假设该电路输出功率为850W，负载8Ω，MOS管如何选型？
1.Vds电压是多少？
根据P=U*U/R，得出输出的平均电压U=82V，这是平均值，需要转化成峰值电压Uo=√2*U=116V。
又因为电源利用率为85%，所以Vp=Uo/85%=136V。Vn=-136V。所以Vds要大于136*2=272V。
2.ID如何计算？
根据P=I*I*R，得出I=10.3A。
所以MOS管的选型应Vds＞272V，ID＞10.3A。
可初步选择FDAF59N30，主要指标如下：
1.漏-源电压 VDS=300V
2.漏极电流 ID=34A
3.上升时间ton=140ns
4.关断时间toff=120ns
5.电阻RDS(on) = 0.056Ω
6.栅极电荷Q g =77nc
从上述几大指标来看，该 MOS管的工作电压、电流均满足需求，在较短的开通和关断迟时间保证了系统的稳定性。
MOS管驱动如何选择？
可以通过计算得到MOS管在一个完整开关周期内所需要的功率Pg。
计算公式为：
Pg=Vgs*Qg*fsw，其中Vgs栅极驱动电压，fsw为开关频率。
FDAF59N30在栅极驱动电压为 12V，开关频率为200KHZ时的消耗功率为：
Pg=12*77*10-9*200*103 =0.1848W
驱动需要提供的平均电流为：
I= Pg/ Vgs=15.4mA。
根据经验，在保证正常工作条件下FDAF59N30的典型开通和关断时间约为200ns，因此可以反推出驱动需要提供的瞬时电流为：
Imax=Qg/t=77nc/200ns=385mA。
所以MOS管驱动需要需要提供的电流大于385mA。
因为这是高压MOS管，所以需要提供浮动栅极驱动能力。
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