N沟道增强型MOS管
1．构造
绝缘栅型场效应管的构造表示图如图2-34所示。
2．N沟道增强型MOSFET
1)N沟道增强型MOSFET的导电沟道的构成
N沟道加强型MOSFET的沟道构成及符号如图2-35所示，其中图2-35 (a)所示是在一块杂质浓度较低的P型半导体衬底上制造两个高浓度的N型区，并分别将它们作为源极s和漏极D，然后在衬底的外表制造一层Si02绝缘层，并在上面引出一个电极作为栅极G。图2-35(b)所示是其在电路中的符号。
2)N沟道加强型MOSFET的特性曲线
转移特性曲线
N沟道加强型MOSFET的转移特性曲线如图2-36所示。
式中，UT为开启电压（或阈值电压）；μn为沟道电子运动的迁移率；Cox为巾位面积栅极电容；W为沟道宽度；疋为沟道长度；W/L为MOSFET的宽长比。在MOSFET集成电路设计中，宽长比是一个极为重要的参数。
输出特性曲线
N沟道MOS管的输出特性曲线如图2-37所示。与结型场效应管的输出特性相似，它也分为恒流区、叮变电阻区、截止区和击穿区。其特性如下所示。
①截止区：UGS≤UT，导电沟道未构成，iD=0。
②恒流区：
·曲线距离平均，UGS对iP的控制才能强；
·UDS对iD的控制才能弱，曲线平整；
·进入恒流区的条件，即预灾断条件为UDS≥UCS-UT。
③可变电阻区：
可变电阻区的电流方程为
因而，可变电阻区的输出电阻rDS为
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