MOS管功放电路

如图所示电路是采用功率MOSFET管构成的功率放大器电路。电路中差动第二级采用2SJ77***率MOSFET，电流镜像电路采用2SK214。其工作电流为6mA，但电源电压较高（为±50V），晶体管会发热，因此要接人小型散热器。

MOS管80W音频功率放大电路

一款性能极佳的JFET-MOSFET耳机功放电路图

100W的MOSFET功率放大器电路图

关于电路

电容C8是阻止直流电压，如果从输入源的输入直流去耦电容。如果畅通，将改变这个直流电压偏置值S后续阶段。电阻R20限制输入电流到Q1 C7-绕过任何输入的高频噪声。晶体管Q1和Q2的形式输入差分对和Q9和Q10来源1毫安左右建成的恒流源电路。MOS管功放电路。预设R1用于调整放大器的输出电压。电阻R3和R2设置放大器的增益。第二差的阶段是由晶体管，第三季度和Q6，而晶体管Q4和Q5形式电流镜，这使得第二个差分对漏一个相同的电流。这样做是为了提高线性度和增益。Q7和Q8在AB类模式运行的功率放大级的基础上。预设R8可用于调整放大器的静态电流。电容C3和电阻R19组成的网络，提高了高频率稳定度和防止振荡的机会。F1和F2是安全的保险丝。

电路设置

设置在中点R1开机前，然后慢慢调整为了得到一个最低电压（比50mV）输出。下一步是成立的静态电流，并保持在最低电阻预设的R8和万用表连接跨标记点电路图X和Y的调整R8使万用表读取16.5mV对应50mA的静态电流。

注意事项

质量好的印刷电路板组装的电路。

使用一个45/-45V直流，3A的双电源供电电路。

电源电压不得超过55/-55V直流。

连接扬声器前，检查零信号放大器的输出电压，在任何情况下不应该大于50mV。如果是大于50mV，检查电路中的任何错误。MOS管功放电路。另一套更换Q1，Q2，也可以解决问题。Q7和Q8适合2°C/W的散热片。Q7和Q8都必须被隔离，使用云母片。很容易在市场上几乎所有的功率晶体管/几乎所有封装形式的MOSFET散热器安装包。

所有电阻R10，R11和R19的其他1/4瓦的金属膜电阻。R10和R11是5W线绕型，而R19是一个3W线绕类型。

MOS管组成的25W音频功率放大器电路图

功放电路技术参数：

输出功率：25V，8ohm负载。

灵敏度：200mV输入25W输出

频率响应：30Hz to 20KHz-1dB

THD@1KHz：0.1W0.014% 1W0.006% 10W0.006% 20W0.007% 25W0.01%

THD：0.1W 0.024%1W 0.016W 0.02W 0.045% 25W0.07%

音频功放电路：

R1，R4=47K1/4W电阻

R2=4K71/4W电阻

R3=1K51/4W电阻

R5=390R1/4W电阻

R6=470R1/4W电阻

R7=33K1/4W 电阻

R8=150K1/4W电阻

R9=15K1/4W电阻

R10=27R1/4W电阻

R11=500R1/2W

R12，R13，R16=10R1/4W电阻

R14，R15=220R1/4W电阻

R17=8R22W电阻

R18=R224W电阻（wirewound）

C1=470nF63V薄膜电容器

C2=330pF63V薄膜电容器

C3，C5=470uF63V电解电容器

C4，C6，C8，C11=100nF 63V薄膜电容器s

C7=100uF 25V电解电容器

C9=10pF 63V薄膜电容器

C10=1uF 63V薄膜电容器

Q1-Q5=BC560C 45V100mA低噪声高增益PNP三极管Q6=BD140 80V 1.5APNP三极管

Q7=BD139 80V1.5ANPN三极管

Q8=IRF532 100V12A N沟道MOS管

Q9=IRF9532 100V 10A P沟道MOS管

电源电路

Parts：

R1=3K3 1/2W电阻

C1=10nF 1000V薄膜电容器

C2，C3=4700？F50V电解电容器

C4，C5=100nF 63V薄膜电容器

D1 200V 8A整流桥，读都也可以用四个整流二极管D2绿色发光二极管（电源指示灯）

F1，F2 3.15A保险丝

电源变压器次级输出双25V（中间抽头）。

PL1插座

SW1开关

注意事项

Can be directly connected to CD players，tuners and tape recorders.

Simply add a 10K Log potentiometer

（dual gang for stereo）and a switch to cope with the various sources you need.

Q6&；Q7 must have a small U-shaped heatsink.

Q8&；Q9 must be mounted on heatsink.

Adjust R11 to set quiescent current at 100mA（best measured with an Avo-meter in

series with Q8 Drain）with no input signal.

A correct grounding is very important to eliminate hum and ground loops.Connect in

the same point the ground sides of R1，R4，R9，C3 to C8.

Connect C11 at output ground.Then connect separately the input and output grounds at

power supply ground.

可直接连接到CD播放机、调谐器和录音机。简单添加10K对数电位器（立体声双联）和一个开关，以应付您需要的各种来源。Q6和Q7必须有一个小U形散热器。Q8和Q9必须安装在散热器上。调整R11，将静态电流设置为100mA（最好使用与Q8漏极串联的Avo表测量），无输入信号。

正确接地对于消除嗡嗡声和接地回路非常重要。在同一点上连接R1、R4、R9、C3到C8的接地侧。

将C11连接到输出接地。然后将输入和输出接地分别连接到电源接地。Q2作为恒流源，Q1作为甲类功放管。

100W的V-MOSFET功率放大器电路

下面是[100W的V-MOSFET功率放大器电路]的电路图

材料清单：

R1=27Kohm

R2-11=4.7Kohm

R3-4=5.6Kohm

R5=47Kohm

R6=1Kohm

R7-10-21=22Kohm

R8=12ohm

R9=1Mohm

R12=33ohm

R13-20=82ohm

R14=33ohm

R15=2.7Kohm

R16=270ohm

R17-19=680ohm

R18=33Kohm

R22-23=0.33ohm5W

R24=8.2ohm

R25=10ohm1W

TR1=470ohm trimmer

TR2=4.7Kohm trimmer

C1=1uF 63V mkt

C2=1nF 100V*

C3=100uF 16V

C4=100nF 100V*

C5-7=22uF 16V

C6=4.7pF ceramic

C8=47uF 16V

C9=1nF 100V*

C10-11=100uF100V

C12-14=100nF 250V mkt

C13=150nF 100V mkt

C15=100uF 35V

D1=12V0.5W Zener

D2....5=8.2V 1W Zener

L1=20 turns 0.6mm on R25

Q1-2=BC547

Q3=2N5460 fet

Q4-5=MPSA93

Q6-8-11=BC182

Q7-10=MPSA43

Q9=BC212

Q12=2SK134 or2SK135

Q13=2SJ49 or 2SJ50

100WMOS管功率放大电路

全对称MOSFETOCL功率放大器电路图

全对称OCL电路是目前比较完善的功率放大器。它把差动输入放大、激励、功率输出等各部分电

路都接成互补对称形式，充分发挥了PNP型和NPN型晶体管能互补工作的优点。因而全称OCL电路比普通OCL电路稳定性更好。保真度更佳。现介绍一种采用具有“胆”机音色的对称互补MOSFET管2SK405和2SJ115担任输出功放电路。

MOS管做功放的优点

1、MOS管功放具有鼓励功率小，输出功率大，输出漏极电流具有负温度系数，平安牢靠，且有工作频率高，偏置简单等优点。以运放的输出作为OCL的输入，到达抑止零点漂移的效果。

2、中音厚，没有三极管那么大的交越失真。

电流推进级通常由一至二级组成，为了降低输出阻抗、增加阻尼系数，常采用二级电流推进。为了防止电流推进级产生开关失真，较好的作法是、采用MOS管并增大本级的静态电流，这样本级不会产生开关失真，由于任何状况下电流推进级一直处于放大区，所以电流输出级也一直处于放大区，因而输出级同样不会产生开关失真和交越失真。

3、MOS管的线性比晶体管好。

MOS管做功放的缺点

1、低频的温和度比晶体管功放差，MOSFET开关场效应管容易被输出和输入过载损坏，MOSFET场效应晶体管既具有晶体管的根本优点。但运用不久发现这种功放的牢靠性不高（无法外电路维护），开关速度进步得不多和最大输出功率仅为150W/8Ω等。MOS管功放电路。90年代初，MOSFET的制造技术有了很大打破，呈现了一种高速MOSFET大功率开关场效应晶体管。

2、开启电压太高。

3、偏流开很大，还是有一定的交越失真，没交越失真，差不多能够赶上三极管的甲类输出功耗。

4、MOS管不好配对在同一批次管，相对来说要好配对一点。

5、MOS管的低频下太硬，用MOS功放听出所谓电子管音色有一个简单方法，把普通三极管功放里的电压推进三极管换成JFET，JFET才真正具有电子管音色。

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