【实例分析】晶体管温度补偿电路-KIA MOS管
晶体管的主要参数，如电流放大倍数、基极-发射极电压、集电极电流等，都与环境温度密切相关。因此，在晶体管电路中需要采取必要的温度补偿措施，才能获得较高的稳定性和较宽的使用环境温度范围。
采用NTC热敏电阻器的晶体管温度补偿电路，普遍存在高温（一般在50℃以上）补偿不足、输入阻抗随温度升高而下降，功耗较大等缺点。PTC热敏电阻 晶体管温度补偿电路能克服上述缺点，扩大晶体管使用环境温度范围。
原理电路
图 三种接法的基本补偿电路
图(a)(b)(c) 为三种不同接法的晶体管基本补偿电路，适用于不同的晶体管及工作电流，以求保证在较宽的温度范围内的最佳补偿效果。
此外，图(b)和图(c)除有稳定工作电流的作用外， 还兼有过热过流保护的功能，即当电流或环境温度超过设定值时，RT阻值剧增，从而使使晶体管截止。
应用举例
晶体管放大电路
图 晶体管放大电路
图为采用PTC热敏电阻的晶体管放大电路。 图中RT为25℃时阻值180Ω的PTC热敏电阻，当环境温度变化时，其阻值随之变化使晶体管发射极电压呈反向变化，从而使集电极电流保持稳定。
图 Ia、Av随环境温度Ta的变化
图是环境温度在-20~+60℃范围内，集电极电流Ic及电压放大系数Av的变化情况。
图中，曲线1、3是采用了PTC热敏电阻的补偿结果，曲线2、4是没有采用PTC热敏电阻补偿的结果。
由于引入了PTC热敏电阻器，集电极电流Ic及电压放大系数Av抗环境温度影响的能力得到显著改进。
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