广东可易亚半导体科技有限公司

国家高新企业

cn en

应用领域

CMOS反相器电路组成图文解析-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2021-12-24 

分享到:

CMOS反相器电路组成图文解析-KIA MOS管


CMOS反相器电路


CMOS反相器电路

图1 CMOS反相器电路


(1)工作原理 

①输入低电平 Ui=0 时 VN截止, VP导通 Uo≈VDD 


②输入高电平, UI = +UDD VN导通, Vp截止 Uo≈0v 


(2)电压传输特性 

(截止区) AB:UIVTN VN截止、 VP导通。


(导通区) CD:UIVDD-VTP VN 导通、VP 截止。


(转折区) BC:阈值电压:UTH =1/2UDD 若VI=UTH=1/2UDD 则ID达最大。


CMOS反相器电路


(3)输入保护电路


CMOS反相器电路

图2输入保护电路


(4)功耗

①静态:总是一管导通一管止,漏电流很小,功耗小,只有几微瓦( TTL静态功耗单位mw )。


②动态:转换是电流大,( 若工作频率高,功耗mw左右)。


(5) CMOS的特点

①微功耗小;

②对电源电压适应性强(3---18V) ;

③抗干扰能力强;

④带负载能力强 (扇出系数大于100以上)。


CMOS门电路非门

驱动管并联 ;负载管并联;有1出0,全1出1。

CMOS反相器电路

图3 CMOS或非门




联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号

请“关注”官方微信公众号:提供  MOS管  技术帮助

免责声明:本网站部分文章或图片来源其它出处,如有侵权,请联系删除。