【图文】反相器的电路结构和工作原理-KIA MOS管
（一）TTL反相器
电路结构
2.电压传输特性
3.工作原理
设 VCC=5V，VIH=3.4V,VIL=0.2V
PN结的导通压降VON=0.7V
A点:输入为0，T1管be结正偏，bc结正偏，T1处于饱和状态，c1压降很低，T2管的基极与c1接在一起，所以T2管、T5管都截止，T4管导通，Y输出高电平，VOH=VCC-VR2-VBE4-VD2=3.4V
AB段：VI<0.6V左右, VB1<1.3V左右, VC1<0.7V左右， T1管导通，T2管、T5管都截止，T4管导通，Y输出高电平，VOH=VCC-VR2-VBE4-VD2=3.4V
BC段：线性区0.7V<VI<1.3V ，T2管导通（从截止进入放大区），R2上流过的电流增加，T5管截止，T4管导通，Y输出高电平，VOH线性下降
CD段：转折区，VI=VTH约为1.4V, VC1电压钳位在1.4V，所以VB1钳位在2.1V左右，T2管、T5管都导通，T4管截止，所以VO迅速下降至低电平
DE段：饱和区，VI继续上升，而VO不变
说明：
T2管的输出VC2和VE2变化方向相反（T2管由截止变为导通时，VC2下降而VE2上升），故称倒相级；
输出级在稳态下，T5管和T4管总有一个导通一个截止（例如当输出低电平时，T2管、T5管饱和导通，输出为0.1V到0.2V左右，VB4大约是0.8到0.9V, T4管导通需要1.4V的压差），既能降低功耗又提高了带负载能力，称推拉式；
D1抑制负向干扰，当输入的电平过低时（<-0.7V),D1导通，保护电路；D2保证T2导通时T4可靠的截止。
(二）CMOS反相器
1.电路结构和电压传输特性
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