MOS管版图-多级CMOS版图分析【收藏】-KIA MOS管
绘制NMOS管的步骤与PMOs管基本相同。不同的是NMOS是做在P型衬底上,要有一个N型注入层,这一层要覆盖整个有源区。
同样,为进行源区和漏区的连接,要用金属1画两个矩形,分别覆盖源区和漏区上的接触孔,覆盖长度为0.1um。为进行衬底连接,必须在衬底的有源区中间添加接触孔,这个接触孔每边都被有源区覆盖0.2um。
然后还要进行P型注入,注入区覆盖有源区0,3um,使得金属1和P型衬底形成良好的欧姆接触。画出用于电源的金属连线,布线完毕后的版图如图所示。
(a)PMOS管的版图 (b)NMOS管的版图
图 MOS管的实际版图
继续进行后面的工作以完成整个非门的绘制及绘制输入、输出。新建一个Ccll。将上面完成的两个版图复制到其中,并以多晶硅为基准将两图对齐。然后,可以将任意一个版图的多晶硅延长和另外一个的多晶硅相交。
多级CMOS版图
多级CMOS版图中，必有漏极（前级输出）和栅极（后级输入）相连，所以要先找到两级间相连的部分。然后从已知的栅极开始，逐级分析。每一级的PUN和PDN一般靠的较近，如下图，很容易区分。
在分析的过程中，仍然要注意从PUN和PDN中的简单者开始。
例1. F=——(——(A+B)+AB)
例2. F=——(——(AB)·(A+B))
例3.半加器
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