【实测】正确理解驱动电流与驱动速度-KIA MOS管
测试对比
以下通过实测两款芯片SLM2184S和IR2184S的性能来说明驱动电流建立时间对驱动速度的影响。
表格1对比了SLM2184S和IR2184S的各项测试。虽然SLM2184S的峰值源电流[IO+]和峰值灌电流[IO-]比IR2184S的测试值偏小，但是SLM2184S的电流建立时间远比IR2184S的建立时间更短。
表格 1：SLM2184S 和IR2184S驱动电流和驱动时间的对比
实测：SLM2184S vs IR2184S驱动测试对比
图5~图16: 实测SLM2184S的驱动电流和驱动时间的波形。
图17~图28: 实测IR2184S的驱动电流和驱动时间的波形。
SLM2184S驱动测试波形
IR2184S驱动测试波形
测试总结
从以上实验测试可以看到，驱动芯片的驱动速度不仅取决于驱动电流的大小，还受到诸如驱动电流建立时间、MOSFET的输入电容等因素的影响。
有些驱动芯片的驱动电流虽然比较大，但由于它的电流上升和下降速度很慢，并没有很好地发挥大驱动电流的作用，甚至在大部分应用场合下驱动速度（tr和tf）不如驱动电流小的驱动芯片。
因此，在选择驱动芯片的时候，不仅要关注驱动电流的大小，也要关注在一定负载电容下的上升、下降时间。当然最为妥当的办法是根据实际选择的功率管测量驱动端的波形，从而判断是否选择了合适的驱动芯片。
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