场效应管的主要参数
1．开启电压UT (MOSFET)
通常将刚刚形成导电沟道、出现漏极电流ID时对应的栅一源电压称为开启电压，用UGS(th)或UT表示。
开启电压UT是MOS增强型管的参数。当栅一源电压UGS小于开启电压的绝对值时，场效应管不能导通。
2．夹断电压UP (JFET)
当UDS为某一固定值(如10V)，使ID等于某一微小电流(如50mA)时，栅一源极间加的电压即为夹断电压。当UGS＝UP时，漏极电流为零。
3．饱和漏极电流IDSS (JFET)
饱和漏极电流IDSS是在UGS =0的条件下，场效应管发生预夹断时的漏极电流。IDSS型场效应管所能输出的最大电流。
4．直流输入电阻RGS
直流输入电阻RGS是漏一源短路，栅一源加电压时栅一源极 之间的直流电阻。
结型场效应管：RGS》107ΩMOS管：RGS>109～1015Ω。
5．跨导Gm
漏极电流的微变量与栅一源电压微变量之比，即gm＝△ID/△UGS。它是衡量场效应管栅一源电压对漏极电流控制能力的一个参数。gm相当于三极管的hFE。
6．最大漏极功耗
最大漏极功耗PD＝UDSID，相当于三极管的PCM。
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