P沟道 MOS管KIA7P03A -7.5A-30V 参数资料 原厂现货直销-KIA MOS管
P沟道 MOS管KIA7P03A -7.5A-30V产品描述
KIA7P03A是高密度沟槽p-CH MOSFET，提供出色的导通电阻和大多数同步降压转换器应用的栅极电荷。KIA7P03A满足RoHs和绿色产品要求。
P沟道 MOS管KIA7P03A -7.5A-30V特征
RDS（ON）= 18mΩ（典型值）@ VGS = 10 V
超低栅电荷
绿色的可用设备
优良的CDV / dt效应递减
先进的高密度沟槽技术
P沟道 MOS管KIA7P03A -7.5A-30V封装图
P沟道 MOS管KIA7P03A -7.5A-30V参数
产品型号：KIA7P03A
工作方式：-7.5A/-30V
漏源电压：-30V
栅源电压：±20V
漏电流连续：-7.5A
脉冲漏极电流：-50A
雪崩电流：-38A
雪崩能量：72.2mJ
耗散功率：31W
热电阻：40℃/W
漏源击穿电压：-30V
温度系数：-0.022V/℃
栅极阈值电压：2.5V
输入电容：1345PF
输出电容：194PF
上升时间：19.6ns
封装形式：SOP-8
KIA7P03APDF文件在线预览
广东可易亚半导体科技有限公司是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。
KIA半导体的产品涵盖工业、新能源、交通运输、绿色照明四大领域，不仅包括光伏逆变及无人机、充电桩、这类新兴能源，也涉及汽车配件、LED照明等家庭用品。KIA专注于产品的精细化与革新，力求为客户提供最具行业领先、品质上乘的科技产品。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
