MOS管三个引脚区分及作用图文详解-KIA MOS管

MOS管是金属(Metal)—氧化物(Oxid)—半导体(Semiconductor)场效应晶体管。

MOS管电压控制型的元件，常常用于直流负载的开关控制。由背靠背的PN结组成，可以分为N MOS管和P MOS管。

MOS管三个引脚

MOS管有三个引脚，分别是栅极(G)、源极(S)和漏极(D)

市面上常有的一般为N沟道和P沟道。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。

MOS管三个引脚栅极(G)、源极(S)和漏极(D)意义及作用:

栅极(G):MOS管的控制引脚，G的全称是Gate，当在栅极(G)施加电压后，栅极(G)和硅衬底之间的SiO2绝缘层中就会产生一个栅极(G)指向硅衬底的电场。

氧化物层两边形成一个电容，门极电压等于对电容充电，受电压吸引，电容另一边聚集大量电子，形成导电沟道，MOS管开始导通。

漏极(D):D的全称是Drain，对于N MOS管，电流从漏极(D)流入，对于P MOS管，电流从漏极(D)流出。

源极(S):S的全称是Source，对于N MOS管，电流从源极(S)流出，对于P MOS管，电流从源极(S)流入。

其实MOS管导通后，电流可以从漏极(D)流向源极(S)，也可以从源极(S)流向漏极(D)。

MOS管驱动方法

MOS管是电压驱动型的器件，和三极管是不同的，只有栅极(G)电压大于门极开启电压（Vgs)才可以导通。

N沟道MOS管：DR为高电平时导通（Vgs为正电压），当然Vgs要达到它的门极开启电压。

P沟道MOS管：DR为低电平时导通（Vgs为负电压），当然Vgs要达到它的门极开启电压。

如果单片机的GPIO驱动电压不足，我们可以加入三极管来协助驱动，GPIO驱动三极管的通断，MOS管则通过三极管集电极的电压来进行驱动。

MOS管三个引脚判断

判定栅极G：将万用表拨至R×1k档，用万用表的负极任意接一电极，另一只表笔依次去接触其余的两个极，测其电阻。若两次测得的电阻值近似相等，则负表笔所接触的为栅极，另外两电极为漏极和源极。漏极和源极互换，若两次测出的电阻都很大，则为N沟道；若两次测得的阻值都很小，则为P沟道。

判定源极S、漏极D：在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。

1、用10K档，内有15伏电池。可提供导通电压。

2、因为栅极等效于电容，与任何脚不通，不论N管或P管都很容易找出栅极来，否则是坏管。

3、利用表笔对栅源间正向或反向充电，可使漏源通或断，且由于栅极上电荷能保持，上述两步可分先后，不必同步，方便。但要放电时需短路管脚或反充。

4、大多源漏间有反并二极管，应注意，及帮助判断。

5、大多封装为字面对自已时，左栅中漏右源。以上前三点必需掌握，后两点灵活运用，很快就能判管脚，分好坏。

如果对新拿到的不明MOS管，可以通过测定来判断脚极，只有准确判定脚的排列，才能正确使用。

①栅极G的测定：用万用表R×100档，测任意两脚之间正反向电阻，若其中某次测得电阻为数百Ω），该两脚是D、S，第三脚为G。

②漏极D、源极S及类型判定：用万用表R×10kΩ档测D、S问正反向电阻，正向电阻约为0.2×10kΩ，反向电阻（5一∞）X100kΩ。在测反向电阻时，红表笔不动，黑表笔脱离引脚后，与G碰一下，然后回去再接原引脚，出现两种情况：

a．若读数由原来较大值变为0（0×10kΩ），则红表笔所接为S，黑表笔为D。用黑表笔接触G有效，使MOS管D、S间正反向电阻值均为0Ω，还可证明该管为N沟道。

b．若读数仍为较大值，黑表笔不动，改用红表笔接触G，碰一下之后立即回到原脚，此时若读数为0Ω，则黑表笔接的是S极、红表笔为D极，用红表笔接触G极有效，该MOS管为P沟道。

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