MOS管结构及其I/V特性详细分析-KIA MOS管
MOSFET的基本结构
以NMOS为例介绍MOSFET的基本结构，如下图所示，器件以p型硅为衬底，并扩散形成两个重参杂n+的区域，分别为源端（Source）和漏端（Drawn），应当注意的是，对于单个器件，源端和漏端是人为定义的，两者是对称可交换的。
对于NMOS器件，源端一般接在电路的最低电位（接地），但对与PMOS源端一般接在最高电位（Vdd）。源漏之间的存在导电沟道，其理论长度为 LdrawnL，但是由于在形成过程中国的非理想因素的影响，导电沟道的长度会有一定程度的减小，也即 LeffL ,两者之间的距离差为由于电子（空穴）热运动引起的迁移长度LD。
在沟道上方先生长一层绝缘的二氧化硅，然后再生长已成多晶硅作为栅极，与源漏方向垂直的珊的尺寸叫栅宽W。可以知道，栅极与器件的其他部分是绝缘的，但是栅极却在MOS导电方面起着极其重要的作用：通过在栅极施加电压影响沟道的空穴（电子）的迁移进而影响器件的导电性能。
由此可见，在一定程度上来讲，MOSFET是压控器件，这在后面也会提到。应当注意的是，MOSFET是一个四端器件，但是通常情况下为了避免二级效应带来的影响，会将器件的源端和漏端相连，作为一个三端器件使用。
MOSFET的I/V特性
上图显示了在（ VGS ? VTH ）一定时漏源之间的电流随着漏源之间的电压变化的趋势，从图中可以看出，MOSFET的I/V特性曲线被划分到两个区域，即左上方的逐渐增加区域(三极管区)以及右下方的稳定区域（饱和区），其分别可以用两个公式来描述：
上述μn为电子迁移率， COX为栅氧化层的电容，W为栅宽，L为栅长，VGS为栅源之间的电压，VDS为漏源之间的电压，VTH为MOS结构的阈值电压
ΦMS为多晶硅栅和硅衬底功函数之间的压差，Nsub是衬底的参杂浓度，Qdep是耗尽区电荷，tox为氧化层厚度，ε表示对应的介电常数，进一步的，当 VDS ＜<（VGS ? VTH）时：
此时可以将MOSFET看作是一个电阻，并称MOSFET工作在深三极管区
注：对于PMOS器件，只需将上述公式中的μn改为up并添加负号即可。考虑到由于器件工作在饱和区时，ID保持不变，因此定义一个电导来描述它
该电导被称之为跨导，它表征了栅源电压转换为漏电流的能力。
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