MOS管的开关模型图文分享-KIA MOS管
1、栅极长度L是载流子必须经源到漏的距离，因此L直接关系到器件的速度，L越小，器件的速度越快，功耗越低。
2、沟道宽度W决定了器件的强度，器件越宽，并行穿过器件的载流子越多。W值越大，晶体管的导通电阻越小，电流越大，负载电容放电越快，从而器件速度越快。但是随着W的增加，器件栅极电容也会增加，从而会延长器件栅极的充放电时间。
p沟道MOSFET的工作原理与NFET相同，所有0和1都被切换。
（a） 当栅极为高时，无论源极和漏极电压如何，PFET都会关闭。（b） 当栅极低而源极高时，PFET开启，电流从源极流向漏极。
Cg=W*L*Kc Rs= L*Krn/W
对于PMOS 和 NNOS，Kc相同，Kr 却因为比率Kp不同而不同，PMOS比NMOS电阻大
Kp = Wp/Wn=Krp/Krn
逆变器驱动同一逆变器的延迟。
(a)逻辑图(所有数字均为器件宽度)，(b)晶体管级电路。(c)计算上升时延的开关级模型，(d)计算下降时延的开关级模型。
具有相同上升下降延迟的逆变器对。（a） 逻辑图（尺寸反映表4.2的参数）。（b） 下降延迟的开关级模型（上升延迟相同）。
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