轻负载时开关元件MOSFET工作的注意事项-KIA MOS管
相移全桥电路中轻负载时流过的电流小，LS中积蓄的能量少，所以很有可能在滞后臂的COSS充放电完成之前就开始开关工作。因此，ZVS工作无法执行，很容易发生MOSFET的导通损耗。
另一方面，当超前臂的MOSFET的COSS充放电时，能量通过变压器被输送到二次侧。
参考前面的思路，通过能量收支来考虑ZVS的成立条件时，以Mode（2）为例，假设相移全桥电路的变压器的匝比为n，则超前臂的ZVS成立条件可用下面的公式来表示。
IL2是Mode（1）结束时的IL，EOSS_Q1和EOSS_Q2分别是完成Q1和Q2的COSS充放电所需的能量。
在实际的电路工作中，需要设置Dead Time来防止上下臂短路。
如上所述，在轻负载时，滞后臂MOSFET的充放电可能尚未完成，即可能会有漏极电压VDS残留（成为硬开关），因此，在某些Dead Time的设置，可能会导致滞后臂MOSFET的导通损耗增加。因此，在设置Dead Time时需要注意这一点。
下图是在Dead Time优化和未优化情况下导通时的示意图。
在Dead Time未优化的情况下，会瞬间流过很大的漏极电流ID。
这是由于受到了两种电流的影响：第一种是栅极-漏极间电容CGD和栅极-源极间电容CGS的电容比，导致栅极-源极间电压VGS超过了阈值电压，从而引起的直通电流；另一种是对应桥臂MOSFET的COSS的充电电流。
其中，后者COSS的充电电流在硬开关工作时一定会产生，但前者的直通电流则可以通过设置MOSFET的CGD和CGS的适当电容比来防止。因此，选择CGD和CGS的电容比适当的MOSFET很重要。
关键要点
轻负载时，电流小，LS中积蓄的能量少，因此很有可能在COSS的充放电完成之前就开始开关工作，致使ZVS工作无法执行，容易发生MOSFET的导通损耗。
COSS的充放电未完成可能会导致VDS残留，因此需要设置适当的Dead Time来防止上下桥臂短路引起的直通电流。
MOSFET的CGD和CGS的某些电容比可能会导致流过直通电流，因此选择该电容比适当的MOSFET很重要。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
