认识电路中的VMOS
日前我们所能见到的场效应管，多半是广义上的VMOS，即垂直沟道功率MOSFET。小功率的场效应管并不常见，JFET和MOSFET则兼而有之，如果玩1970~1980年间的收音头和音频功放，见到它们的机会就多一些。在更占老的机器里，也许还能见到VFET，在固态射频发射机里，LDMOS和HEMT也能够见到，只是这样的机会是少而又少。
除了小型封装的VMOS场以外，多数MOS场效应管单管的引脚排列顺序是一样的（图2.1），极少有例外。让VMOS的引脚向下，使有字的一面朝向自己，那么从左至右就是G（栅极）、D(漏极)、S(源极)，TAB表示散热片，与漏极相通。小型封装、多管封装等则需要查阅器件的技术手册，没有统一规律可循。
VMOS模块是最为常见的场效应管模块，塑料外壳上一般有引脚定义的标识。引脚标识无外乎两种方法：一种是直接在引脚附近用宁母标识，如G、D、S、SID2（两管的公共端）等；另一种足引脚用阿拉伯数字标识，在模块的侧面有内部的等效电路原理图和引脚编号。另外，模块上主电极与副电极从外形上也 是比较容易区分的，因为它们的大小、形状的差异非常明显（图2.2）
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