MOSFET-功率器件中热阻值的测量分享-KIA MOS管
热阻值是功率器件中主要的参数之一，反映了功率器件的驱动能力。热阻值的大小与功率器件本身和所在 PCB 板散热面积有关。因此，本文描述了功率器件的热阻值的测量方法。
实验平台
1、某功率器件
2、电源、示波器、电子负载等
实验原理
热阻值的单位为℃/W，因此，只需要测量功率器件单位功率下的温升即可实现热阻值的测定。而功率的测量，可以通过对功率器件施加特定的负载，并通过 P=UI 即可完成；
温升的测定则需要根据功率器件（功率 MOS 管）的体二极管来实现，根据经验公式，功率器件的温升与体二极管的电压满足：℃=2mV，即体二极管“单位情况”下升高 2mV，功率器件温升 1℃，因此，需要测量体二极管“单位情况”下的电压。
实验步骤
1、如图所示连接电路
2、设定电子负载为 0.02A，打开电源，测得如下波形
根据上图，Drain 和 Source 间，也就是体二极管两端的电压 V0 = 537.5mV。
3、设定电子负载为 2A/0.02A，90%占空比，测得如下波形
根据上图，2A 对应的体二极管两端电压 V1 = 637.5mV,0.02A 对应的体二极管两端电压 V2 = 475mV。
则△V = |V2-V0| = 62.5mV，对应的功率器件温升为：
T = 31.25℃。
功率器件所驱动的负载功率：
P = Vcc*I*90% = 0.6375*2*0.9 = 1.1475W
因此，该功率器件的热阻值为：
Tj = T/P = 27.2℃/W
根据上述步骤完成了功率器件热阻值的测量。
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