NMOS管 18A60V KIA6706A参数资料 原厂现货直销-KIA MOS管
NMOS管 18A60V KIA6706A
KIA6706A是高单元密度沟槽式N-ch MOSFET，可提供出色的RDSON；大多数同步buck变换器应用的门极电荷。KIA6706A符合RoHs和绿色产品要求。
NMOS管 18A60V KIA6706A特征
RDS(on)=7.5mΩ(typ)@VGS=10V
超低门电荷
绿色设备可用
Cdv/dt效应下降
先进的高密度沟槽技术
NMOS管 18A60V KIA6706A封装图
NMOS管 18A60V KIA6706A参数详情
产品型号：KIA6706A
工作方式：18A/60V
漏源电压：60V
栅源电压：±20A
漏电流连续：18A
脉冲漏极电流：75A
雪崩电流：40A
雪崩能量：80mJ
耗散功率：2.7W
热电阻：45℃/V
漏源击穿电压：60V
栅极阈值电压：1.2V
输入电容：3307PF
输出电容：201PF
上升时间：41.2ns
封装形式：SOP-8
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