双P沟道MOSFET KIA4953 -5.3A-30V参数 SOP-8 原厂送样-KIA MOS管
双P沟道MOSFET KIA4953 -5.3A-30V
这种双P沟道MOSFET是KIA先进的P沟道工艺的一个坚固的栅极版本。它已针对需要大范围给定驱动电压的电源管理应用进行了优化。额定值（4.5 V–20 V）。
KIA半导体设计生产的碳化硅二极管具有较短的恢复时间、温度对于开关行为的影响较小、标准工作温度范围为-55℃到175℃，大大降低散热器的需求。碳化硅二极管的主要优势在于它具有超快的开关速度且无反向恢复电流，与硅器件相比，它能够大大降低开关损耗并实现卓越的能效。更快的开关速度同时也能让制造商减小产品电磁线圈以及相关无源组件的尺寸，从而提高组装效率，减轻系统重量，并降低物料（BOM）成本。
双P沟道MOSFET KIA4953 -5.3A-30V特性
-30V/-5.3A,RDS(on)=54mΩ(typ)(Vgs=-10V)
RDS(on)=84mΩ(Vgs=-4.5V)
低压充放电（6Nctypical）
高功率和电流的能力
快速切换速度
双P沟道MOSFET KIA4953 -5.3A-30V参数
工作方式：-5.3A/-30V
漏源极电压：-30V
栅源电压:±20V
最大漏电流连续：-5.3A
最大脉冲漏电流:-20A
连接和储存温度范围:-55℃至150℃
漏源击穿电压：-30V
双P沟道MOSFET KIA4953 -5.3A-30V封装图
双P沟道MOSFET KIA4953 -5.3A-30V规格书
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