【MOS集成】bicmos和cmos的区别图文分享-KIA MOS管

bicmos和cmos的区别

cmos（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）是纯种MOS工艺，简单的讲可以在p衬底上做NMOS，在n-well中实现PMOS。最主要的特点就是低功耗; 

Bicmos就是兼容性的，两者在同一个芯片上生产，事实上这种工艺根据它的侧重点的不同也分为两种 Bicmos工艺极其复杂，Bipolar其次，CMOS最简单。Bicmos优点很多，兼和两者的长处，造价昂贵。

1、bicmos

CMOS以低功耗、高密度成为80年VLSI的主流工艺。随着尺寸的逐步缩小，电路性能不断得到提高，但是当尺寸降到1um以下时，由于载流子速度饱和等原因，它的潜力受到很大的限制。

把CMOS和Bipolar集成在同一芯片上，发挥各自的优势，克服缺点，可以使电路达到高速度、低功耗。BiCMOS工艺一般以CMOS工艺为基础，增加少量的工艺步骤而成。

BiCMOS（Bipolar CMOS）是CMOS和双极器件同时集成在同一块芯片上的技术，其基本思想是以CMOS器件为主要单元电路，而在要求驱动大电容负载之处加入双极器件或电路。因此BiCMOS电路既具有CMOS电路高集成度、低功耗的优点，又获得了双极电路高速、强电流驱动能力的优势。

2、CMOS

CMOS是Complementary Metal Oxide Semiconductor（互补金属氧化物半导体）的缩写。

它是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片，是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片。因为可读写的特性，所以在电脑主板上用来保存BIOS设置完电脑硬件参数后的数据，这个芯片仅仅是用来存放数据的。

电压控制的一种放大器件，是组成CMOS数字集成电路的基本单元。

而对BIOS中各项参数的设定要通过专门的程序。BIOS设置程序一般都被厂商整合在芯片中，在开机时通过特定的按键就可进入BIOS设置程序，方便地对系统进行设置。因此BIOS设置有时也被叫做CMOS设置。

CMOS的这种构造互补构造组成的电路方式在集成电路中应用比较广泛，也不只限于FET，BJT也能够，这种电路方式也称为图腾柱。

CMOS曾经普遍用于RAM和ROM中，直到目前，CMOS依然是最为省电的数字逻辑电路，在请求性价比的应用中，Flash ROM和BiCMOS逐步取代了CMOS。换言之，在很多应用中，假如本钱不是问题，CMOS的优势依然不可替代，CMOS RAM采用普通的碱性电池供电可以坚持长达7年左右。

BiCMOS( Bipolar CMOS)与BiMOS是同义词，是双极工艺和CMOS工艺的混血儿，这种本来是针对双极性器件与MOS器件难以在同一芯片上集成的混合工艺，具有成本优势，并且可以用于功率晶体管和IC的制造。

目前常用场效应管、KIAmos管的功率控制IC的常见工艺根本上就是上述两大类：BiCMOS和HV-CMOS，本来非主流的SOI( Silicon-On-Insulator，硅隔离)工艺正在开展中(图1. 31)。

电压规格能够有效控制功率，而且有些器件的驱动确实需求比较高的电压，如目前新兴的大屏幕FPD（Flat-Panel Displays，平板显现屏）中的PDP( Plasma Display Panels，等离子显现屏)、FF.D( Field，F.mission Displays，场致发射显现屏)、EL(Electro Luminescent Displays，电致发光显现屏)等等。

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