【电路分析】MOSFET的门源极并联电容-KIA MOS管
MOSFET门源极并联电容后，开关可靠性得到提升
开关电路如下图：
电路解释
1.该电路用于高边开关，当MOS_ON 网络拉低到地时，开关Q1导通；
2.电路中D3作用为钳位Q1门源电压在12V左右，以保护Q1；
3.C2作用为滤除MOS_ON上的干扰以及延缓Q1上下电时间，如下图：分别为添加电容和不添加电容Q1门极电压变化情况。
结论：通过在开关g s 并联电容，可以有效提升开关mosfet抗干扰能力，尤其在mosfet需要通过外部按键使能的应用，另外并联的电容可以有效滤除由于控制抖动导致的电源开关关断。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
