槽栅构造有利于进步电流控制才能，但是结电容大，不利于工作频率的提高。将平而栅极构造与双扩散有机分离起来，就LDMOS(Lateral DoubleDiffuse MOSFET，横向双扩散MOSFET)（图1.18）。
LDMOS的主要优势是结电容小、工作频率高，合适于微波应用。
微波功率放大器的封装与常见的封装不同（图l.19），这是和微波功率放大相顺应的。微波功率放大应用大都是漏极输出、源极接地的电路（共源极电路），出于电路规划的思索，TAB(本体散热片)也需求和散热器直接相连。LD-MOS的衬底（背电极）是源极而不是漏极，刚好能够满足这一需求，源极衬底可以直接和TAB相连（图1.19），热阻减小，有利于进步功率耗散能才能。而垂直沟道的DMOS，衬底（背电极）是漏极，用于微波的垂直沟道MOS功率器件，通常是在TAB与衬底之间设置Be0(氧化镀)隔离层，既增加了热阻，又进步了封装本钱。
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