【电子精选】振铃现象的解决方法（一）-KIA MOS管
振铃现象属于信号完整性问题，其解决方法通常为端接匹配技术。
进行信号完整性的分析需用到IBIS 模型和EDA工具，其中IBIS(Input/Output Buffer Information Specification)模型是一种基于V/I曲线的对1/O BUFFER快速准确建模的方法，是反映芯片驱动和接收电气特性的一种国际标准；
它提供一种标准的文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下 降时间及输入负载等参数，适合做振铃和串扰等高频效应的计算与仿真。
1、串行匹配法
串行匹配，即使驱动端的阻抗与传输线的阻抗相匹配，其接入方式如图3.
串行匹配即是在传输线模型前加入一个串行电阻，通过调整电阻值来使驱动端阻抗和传输线阻抗一致，通常串入电阻的阻抗加上驱动端阻抗应比传输线上的阻抗略大一些。
在未串接电阻时,信号的原始波形如图4所示。
可以看到在负载端有振幅近500mV的振铃现象。
当接入500电阻时,信号的波形如图5所示。
由图5可知，振铃现象所产生的毛刺已被消除。串行匹配只需在电路中串入一个电阻，不直接与电源相接，因此功耗较小，连接简单;
但其也有不足之处:串入的电阻会在源端和自身之间产生反射信号，如果有其他输入信号的话，会对其逻辑状态造成影响;并因为增加了电路的RC常数会导致信号的上升时间变缓，所以在超高速电路中不太适用。
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