功率规格：PD、Ptot、IDR、IS
PD、Ptot的含义略有差别，有些制造商则会忽略了两者的差别。通常所说的“多少瓦”的管子就是指的PD、Ptot额定值。
PD的含义是“Under Specified Heat Conditions，Maximum Allowable Val-ue of Constant Drain Power Dissipation”（给定散热条件下，漏极允许的最大连续功耗），没有明确说明的情况下，包括VMOS管芯本身与体二极管的功耗。给定散热条件只是定义了测试条件，对测试结果并无影响。
Ptot的含义是“Total Dissipation”（总耗散功率），明确表示包括了体二极管的功耗。
耗散功率指的是晶体管自身能够消耗的最大电功率，这些电功率都转化成了热能，因此也可以理解为晶体管自身发散热最的能力。
如果一份技术文档明确指出PD只是管芯的功率耗散能力，那么Ptot就约等于PDX2。这是因为VMOS管芯本身与体二极管的功率耗散能力几乎是一样的。
一般情况下，如果制造商分别给出了VMOS管芯与体二极管的耗散功率，这时候的VMOS多半是采用了与肖特基二极管相当的体二极管，如SiC体二极管，这样的体二极管的自身功耗小，功率耗散能力也相对要小一些。如果是低速应用，就要适当地降低PD，因为低速情况下高速体二极管的优势是难以体
现的。
PD是容易让入门者误解的数据，不少入门者会误认为这是：VMOS的功率输出能力。当然，VMOS要输出功率，PD也是必需的，尽管如此，二者并没有必然的联系。
技术手册中给出的是PD的最大值，如果把VMOS看作一个人，PD就可以视为一个人的饭量，这个人的力气就好比是功率输出能力。尽管人力上的饭量一般都很大，但是饭量大的人可不一定是人力土。
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