单片机直接驱动MOS管的风险分析-KIA MOS管
MOS管是电压驱动的元器件，通常被用作较大功率的电子开关，来控制直流负载回路的通断。 MOS管可以分为NMOS和PMOS，具有三个电极，分别为： 1)门极G； 2)源极S； 3)漏极D。 其中门极为控制端，源极S和漏极D为输出端。
MOS管的控制方式
MOS管通过GS之间的电压VGS来控制通断，NMOS和PMOS的控制方式不一样，如下： NMOS的控制方式 NMOS的VGS > Vth时，NMOS导通，用单片机控制NMOS时，单片机输出高电平可以控制NMOS管的导通，单片机输出低电平时NMOS管关断。
控制电路如下图所示:
PMOS的控制方式 PMOS的VGS用单片机控制PMOS时，单片机输出低电平，PMOS导通；单片机输出高电平时，PMOS截止关断。
控制电路如下图所示:
单片机直接控制MOS管的应用风险
单片机的供电为5V或者3.3V，而且以3.3V居多，MOS管的Vth一般在(2-5)V，用单片机可以直接控制。对于过电流能力较强大功率MOS管而言，Vth的值可能更大。 这时候用单片机就不能直接控制了。
实际上，为了使MOS管更稳定的工作，我们一般会用三极管来控制MOS管，因为三极管是流控型的器件，单片机驱动三极管更为合适。
下图是单片机通过三极管控制NMOS的电路图:
单片机输出高电平时，三极管导通，NMOS的G极为低电平，NMOS截止关断； 单片机输出低电平时，三极管截止，G极为高电平，NMOS导通。这样可以有效的避免单片机输出的电平无法满足VTH的情况。
MOS管在选型的时候，ID电流，耐压值是一定要考虑的参数，而VTH往往被忽略，这可能就会导致用单片机直接驱动MOS而不导通的情况。
另外，还需要注意的是，NMOS和PMOS在做开关时导通方向不一样，负载所接的位置也不一样。
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