用PMOS实现LED恒流驱动芯片的通断控制-KIA MOS管
电路原理：
1、QX7135E33为330mA线性LED恒流驱动芯片，无使能端。
2、利用PMOS控制QX7135的电源通断，实现使能功能。
原理说明：
1、控制电源开关的输入信号 Control 为低电平或高阻时，三极管Q2的基极被拉低到地，为低电平，Q2不导通，进而MOS管Q1的Vgs = 0，MOS管Q1不导通，+5V_OUT 无输出。
电阻R4是为了在 Control 为高阻时，将三极管Q2的基极固定在低电平，不让其浮空。
带软开启功能的MOS管电源开关电路
2、当电源 +5V_IN 刚上电时，要求控制电源开关的输入信号 Control 为低电平或高阻，即关闭三极管Q2，从而关闭MOS管Q1。因 +5V_IN 还不稳定，不能将电源打开向后级电路输出。
此时等效电路图如下。
此时电源 +5V_IN 刚上电，使MOS管G极与S极等电势，即Vgs = 0，令Q1关闭。
3、电源 +5V_IN 上电完成后，MOS管G极与S极两端均为5V，仍然Vgs = 0。
4、此时将 Control 设为高电平（假设高电平为3.3V），则：
①三极管Q2的基极为0.7V，可算出基极电流Ibe为：
（3.3V - 0.7V） / 基极电阻R3 = 0.26mA
②三级管Q2饱和导通，Vce ≈ 0。电容C1通过电阻R2充电，即C1与G极相连端的电压由5V缓慢下降到0V，导致Vgs电压逐渐增大。
③MOS管Q1的Vgs缓慢增大，令其缓慢打开直至完全打开。最终Vgs = -5V。
④利用电容C1的充电时间实现了MOS管Q1的缓慢打开（导通），实现了软开启的功能。
MOS管打开时的电流流向如下图所示：
5、电源打开后，+5V_OUT 输出为5V电压。此时将 Control 设为低电平，三极管Q2关闭，电容C1与G极相连端通过电阻R2放电，电压逐渐上升到5V，起到软关闭的效果。
软关闭一般不是我们想要的，过慢地关闭电源，可能出现系统不稳定等异常。过程如下图。
一般情况下还是放心使用软启动功能，伴随而来的软关闭效果一般没什么影响。
电路参数设定说明：
调整C1、R2的值，可以修改软启动的时间。值增大，则时间变长。反之亦然。
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