VMOS的选择原则
(1)电压规格(VDSS)：俗称耐压，至少应该为主绕组的3倍，需求留意的是，主绕组的电压指的是图2.6中的N2或者N3，而不是二者相加。详细而言，图中为10.5V，因而Q1、Q2的电压规格至少为31.5V，思索到10%的动摇和1.5倍的保险系数，则电压规格不应该低于31.5 X 1.1X 1.5＝52V。图中的2SK2313的电压规格为60v，契合请求。
其次，依据普通经历，电压规格超越200V的VMOS，饱和导通电阻的优势就不明显了，而本钱却比二极管高得多，电路也复杂。因而，用作同步整流时，主绕组的最高电压不应该高于40V。
(2)电流规格(In)：这个问题主要与最大耗散功率有关，由于计算办法复杂并且需求实验停止验证，因而也能够直接用理论办法进行肯定，即在实践的工作环境中，依照最极端的最高环境温度，比方夏天比拟热的温度，如35℃，依据实践所需求的工作电流，接上适宜的假负载，连续工作2小时左右，假如MOS管散热片(TAB)不烫手，就根本上能够运用。这个办法固然粗略，但是很简单适用。
(3)mos饱和导通电阻(RDS（ON）)：当然越小越好，典型值最好小于10mQ，这个数值以从技术手册上查到。
(4)开启电压(YGS（th））也称为“栅极阈值电压”，这个数值的选择在这里主要与用作比拟器的运放有火。VMOS不像BJT，栅极相关于源极需求有一定的电压才干开通，这个电压的最低值（通常是一个范围）称为开启电压，饱和导通电压普通为开启电压的一倍左右，假如技术手册给出的开启电压是一个范围，取最大值。VMOS的开启电压普通为5V左右，低开启电压的种类有2V左右的。假如采用5. 5V丁作电压的运放，其输出电平最大约为土2.5V，即便采用低开启电压的VMOS，如图2.6中的2SK2313，最低驱动电平也至少为土5V，因而依据上文关于运放的选择准绳，5.5V工作电压的运放实践上是不能用的，引荐的工作电压最低为±6V，由于运放的最高输出电平通常会略低于工作电压，即便是近年来开端普遍应用的“轨至轨”输入／输出的运放也是如此。
P沟道VMOS当然也能用，只是驱动办法与N沟道相反。不过，直到现在，与N沟通同一系列同电压规格的P沟通的VMOS，普通电流规格比N沟道的低，而饱和导通电压比N沟道高。因而选N沟道而不选P沟道。
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