MOS管参数测试方法详细图文-KIA MOS管
沟槽式场效应管
沟槽式场效应管TrenchMOSFET是现在比较常用的金属-氧化物半导体场效应晶体管。因其具有低导通电阻、低栅漏电荷密度的特点，所以功率损耗低、开关速度快。且由于TrenchMOSFET为垂直结构器件，因此可进一步提高其沟道密度，减少芯片尺寸，使功率场效应管的SMD微型封装成为现实。
在手机电池保护电路中，常用到两个场效应管共漏极使用的MOSFET，因为在手机保护电路中，即要进行过充检测也要进行过放检测。
该类MOSFET内部电路结构如下图虚线内所示：
打开该类MOS的规格书我们会看到许多如下参数：
那么如何测试这些参数呢，下面请看测试手法！
注意：
下文中加粗字体为变量，需根据MOS规格书来确定实际参数。
1、VSSS耐压
按下图连接测试电路，设置VGS=0V，VSS1从0V以0.1V步增，逐渐增加电压至IS=1mA,且MOS无损毁，记录VSS1的电压。
按下图连接测试电路，设置VGS=0V，VSS2从0V以0.1V步增，瞬间增加电压至IS=1mA,且MOS无损毁，记录VSS2的电压。
2、ISSS电流
按下图连接测试电路，设置VSS=12V，VGS=0V，记录下ISSS。
3、VGS(th)开启电压
按下图连接测试电路，设置VSS=6V，以0.1V同步增加VGS1的电压，直至ISS=1mA,记录下此时VGS1的电压，同理测试另一FET的VGS2。
4、IGSS栅极漏电流
按下图连接测试电路，设置VSS=0V，VGS1=±8V，记录下IGSS1，同理测试另一FET的IGSS2。
5、RSS(on)内阻
按下图连接测试电路，设置IS=6A，分别测试VGS等于4.5V、4.0V、3.8V、3.1V、2.5V时，S1与S2两端的电压VS1S2，RSS（on）=VS1S2/6A。
6、VFSS二极管导通电压
按下图连接测试电路，设置VGS2=4.5V，VGS1=0V，VS1S2=4.5V，IS1S2=6A，记录下测试的VFSS1。
同理，设置VGS1=4.5V，VGS2=0V，VS2S1=4.5V，IS2S1=6A，记录下测试的VFSS2。
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