CMOS逻辑电路图文详解-KIA MOS管
CMOS逻辑电路实现
CMOS逻辑电路，分两部分，上拉部分，下拉部分。上拉部分由PMOS管电路构成，下拉部分由NMOS管电路组成，如下。上下拉，形成互补。
由前面的基础可知，CMOS只能实现基本逻辑的非，比如或逻辑，与逻辑，如果不加反相器，CMOS只能实现或非，与非逻辑。原因就是上拉逻辑只能用PMOS实现，下拉逻辑只能由NMOS实现，而PMOS的导通需要输入信号为0，NMOS导通需要输入信号为1。
一般的设计过程
既然如此，在用CMOS实现逻辑电路时，一般可以照如下顺序去做：
可以先将其整体先加上一个非，作相应的逻辑转化。
上拉逻辑中各个PMOS，与操作为并联，或操作为串联。
下拉逻辑中各个NMOS，与操作为串联，或操作为并联。
举例说明
比如我们想从CMOS层去实现逻辑 OUT = D+A*(B+C) （减号“-”表示取反（非）操作，“+”表示或,*表示与）。
设计过程如下：
OUT = - ( -(D+A*(B+C)) )
OUT1 = -(D+A*(B+C))
OUT = -OUT1
对于OUT1 = -(D+A*(B+C))，正好是逻辑整体上带了个非，设计(D+A*(B+C))部分之后再加上一个非即可。
故对于上拉逻辑:
1.或操作为串联，从而输入B,C接到的PMOS之间为串联。
2.与操作为并联，故输入A接到的PMOS跟B,C或逻辑之间为并联。
3.或操作为串联，故D与A*(B+C)的PMOS逻辑为串联。
对于下拉逻辑与上拉逻辑正好相反：
4.或操作为并联，从而输入B,C接到的NMOS之间为并联。
5.与操作为串联，故输入A接到的NMOS跟B,C或逻辑之间为串联。
6.或操作为并联，故D与A*(B+C)的NMOS逻辑为并联。
7.从而得到 OUT1 = -(D+A*(B+C)) 的CMOS实现如下：
过程中上下拉两部分的逻辑式相同，组合起来后，自行补充一个非。
则实际分析电路中，一般只需单独分析一部分就行了。
8.OUT = -OUT1，故得最终答案如下：
当然，在MOS管级别还可以做一些优化，比如MOS管级别的逻辑优化，MOS管栅源共用，晶体管尺寸调整，重新安排各个输入的上下顺序等等，都可以在MOS管级别使得电路的时序与面积功耗等得到优化，但这不是我们的重点，一般对于全定制IC设计会从MOS管级开始考虑电路的实现。这里只是对其做一个了解。
实际设计的重点还是会注重于门级以上的电路实现与优化，特别是到了Verilog描述，主要着重于数据流级，行为级描述。
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