【图文分析】共源共栅电流镜-KIA MOS管
共源共栅电流镜
如图所示，令左路电流为10u，PM1和PM0宽长比相同，则由电流镜定律，右侧电流也为10u，目标：设计较为精确的电流镜，要求输出（PM3漏端）电压>VDD-0.6
采用1830工艺
由于输出电压>VDD-0.6，因此Vdsat0+Vdsat3<0.6
采用1：1复制，PM1与PM0宽长比相同，为保证PM1与PM0漏压相等，PM2与PM3尺寸相同。0.6V压降平均分给PM0与PM3，为保证设计余量，取Vdsat=0.25V
由于饱和时，Vgs-Vth<Vdsat，因此Vsat1=Vsat2=Vsat3=Vsat0=根号（2Id/K(W/L)）<0.25
K取40uA/V^2，可得W/L=8
由于PM1与PM0必须良好匹配，沟长调制效应要小，取最小沟长6倍，3um，W1,2=24um
PM2与PM3以减小面积准则，沟长取1.5u，W=12u
计算R：Vsg1+VR-Vsg3-Vsd1=0=Vsg1+VR-Vsg3-0.3
R=0.3/10u=30K
由直流仿真看到采用共源共栅电流镜的方式复制的电流精度远高于PMOS电流镜精度。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
