MOS高压侧自举升压电路分享-KIA MOS管
MOS高压侧自举升压电路
如果不添加自举电路，
举例如下：
如果MOS的Drink极电压为12V，Source极电压原为0V，Gate极驱动电压也为12V，那么当MOS在导通瞬间，Soure极电压会升高为Drink减压减去一个很小的导通压降，那么Vgs电压会接近于0V，MOS在导通瞬间后又会关断，再导通，再关断。
如此下去，长时间在MOS的Drink极与Source间通过的是一个N倍于工作频率的高频脉冲，这样的脉冲尖峰在MOS上会产生过大的电压应力，很快MOS管会被损坏。
如果在MOS的Gate与Source间接入一个小电容，在MOS未导通时给电容充电，在MOS导通，Source电压升高后，自动将Gate极电压升高，便可使MOS保持继续导通。
图中自举升压电路解析（电荷泵工作原理）：
1、上电时：电源+11V流过D1、D2向C3充电，C3上的电压很快升至接近11V；
2、如果Q6导通，C1负极被拉低，C1形成充电回路，会很快C1充电至11V;
3、当PWM波形翻转，Q6截止，Q3导通，C1负极电位被抬高到接近电源电压11V，水涨船高，此时C1正极电位已超过电源电压，并高于C3端电压。因为D1的存在，该电压不会向电源倒流；
4、此时开始先C3充电，C3上的端电压被充至接近2倍电源电压22V；
5、只要Q3、Q6一直轮流导通和截止，C1就会不断向C3充电，使C3端电压一直保持22V的电压。
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