【图文详解】场效应管的偏置电路及静态分析-KIA MOS管
为了保证在有输入信号时，场效应管始终工作在放大区(恒流区),同晶体管一样，场效应管放大电路也要建立合适的静态工作点。所不同的是，场效应管是电压控制器件，因此它需要有合适的栅源电压。根据不同类型的场效应管对栅源电压 UGS 的要求，通常偏置形式有两种：
一种是只适合结型和耗尽型场效应管的自偏压电路
一种是用于各种类型场效应管的分压式偏置电路
1. 自给偏压式电路
自给偏压方式适合于结型场效应管和耗尽型场效应管
由耗尽型MOS管的特性可知，即使UGS = 0,在相应的电压 UDS 作用下也有漏极电流 ID。
在图所示电路中，当ID流过源极电阻R时会产生压降 USQ = IDQ * R，由于栅极电流为零，从而使R电流为零，所以栅极电位VGQ = 0，因此栅-源静态电压为
静态工作点分析:
由以下公式能算出 IDQ 和 UDSQ
2. 分压式自偏压电路
上图所示的电路简单，也有一定的稳定工作点的作用。但Ra的取值不能取得很大，否则将使负偏压过高，放大倍数下降，并产生严重的非线性失真。
所示的电路为N沟道增强型MOS管共源放大电路，所示电路的改进电路，在它的栅极上加接了一个正电位，即通过电阻Rg1、Rg2分压后经Rg3加至栅极 go由于栅极加了一个正电位，则可将接在源极s的Rs的阻值适当加大，使静态工作点Q不至于过低，且稳定度大大提高。
栅极、源极电位分别为：
因此栅-源电压：
再根据 IDQ 与 UGSQ 之间的关系：
其他变量就能算出来。
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