增强型是基本的MOS晶体管
在前面涉及的MOS晶体管的工作中，NMOS晶体管的阈值电压VTN是正值，当VGS= OV时就没有漏极电流流动，这样的晶体管称为增强型晶体管( enhancementtransistor)。图2.10示出增强型NMOS晶体管的电流-电压特性。
耗尽型—使VGS=OV也有漏极电流流动的器件
与此相对应，也能制造出具有负阈值电压的NMOS晶体管。如图2.11所示，栅氧化膜下方是高浓度的n型掺杂层，那么即使VGS=OV，也可以形成电子流的通路，使漏极电流流动，这样的晶体管称为耗尽型晶体管(depletion transistor)。增强型NMOS晶体管的阈值电压VTN在ov以上，而耗尽型NMOS晶体管的阈值电压VTN则在OV以下。
相反，PMOS晶体管中，增强型晶体管的阈值电压是OV以下，而耗尽型PMOS晶体管的阈值电压则在ov以上。
图2. 12示出耗尽型NMOS晶体管的电流—电压特性。表2.2列出了MOS晶体管的种类以及阈值电压的极性。
耗尽型MOS晶体管的OFF状态发生在栅极加负的电压，使栅极—源极间电压处于VGS
耗尽型晶体管对于模拟电路设计来说是一种很方便的器件。例如，使用耗尽型晶体管的1V以下的电源电压下工作的rail to rail工作的OP放大器。另外，如图2. 14所示，栅极和源极接地的耗尽型NMOS晶体管可以作为电流源使用。由于VGS=o，所以漏极电流可以表示为
式中，VTND是耗尽型NMOS晶体管的阈值电压。
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