MOS管模型-MOS管在强反型区作放大器-KIA MOS管
这一部分共需要讨论栅源电压对电流的控制作用、衬源电压对电流的作用以及漏源电压对电流的作用
栅源电压对电流的控制作用（VDS>VGS?VTH）
强反型区又叫平方律区，因为电流IDS表达式满足：
衬源电压VBS对电流的作用（二阶效应：背栅效应）
衬源电压VBS往往不为0，这会引入背栅效应
对于NMOS，当衬源PN结正偏时，会带来闩锁效应（Latch-up），所以VBS<0，背栅效应会导致阈值电压变大，电流IDS减小。
对于PMOS，VBS>0;VTH<0V
漏源电压VDS对电流的作用（二阶效应：沟道长度调制效应）
当MOS管进入饱和区后，输出电流并不是水平线，而是存在一定的倾斜。这是由于导电沟道产生夹断，有效沟道长度变短。
大信号与小信号
大信号状态与小信号状态是一一对应的。大信号分析是小信号分析的基础（VGS,VDS,VBS都属于大信号）
当MOS管电压电流随输入信号的变化有较大改变时，认为MOS工作在大信号状态；当MOS电压电流变化不影响电流工作点，则MOS工作在小信号状态。
MOS管小信号模型
gm
上式中，gm为小信号参数，而后面三个等式中的参数均为大信号参数。（由此可见大信号分析是小信号模型分析的基础）
gm描述了栅源电压对输出电流的控制作用，因为实际应用中往往固定过驱动电压VGS?VTH，所以第三个等式gm=2IDS/VGS?VT使用最多
rDS
结合跨导对应的小信号模型，rDS描述了漏源电压对电流的作用，根据公式
gmb
MOS管单管本征增益
如图所示，共源极放大器，理想电流源作负载，在小信号模型中理想电流源看作开路，该MOS管的增益AV可写作：
由于此处负载为理想电流源，而实际负载不可能阻抗为无穷，因此本征增益是单管放大电路的最大增益。此外，由AV表达式可见，要获得大的增益，需要选择一个大的沟道长度以及尽量小的过驱动电压。一个合适的过驱动电压为0.2V。
事实上，如果追求高速度，MOS管要有一个小的沟道长度，大的过驱动电压。这一矛盾，归根到底是增益和速度的矛盾。
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