H桥电路MOS管串联二极管作用分析-KIA MOS管
MOS管串联二极管
因为MOS管的体二极管速度太慢，有反向直通，所以采用一个二极管串联在外面，外面再整体并联一个。
而且高压瞬态完全不一样的，就现在大家做的逆变器，全桥，都是没有考虑这个直通的，因为这个直通的时间都是次ns级以内的MOS管还是可以扛住的，然后遇到那种高可靠性要求，全部都算FAIL。
串联二极管没有特殊要求只需要电流够就行。
KIA半导体是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业，竭诚服务全球开关电源、绿色照明、电机驱动、汽车电子、新能源充电桩、太阳能设备、数码家电、安防工程等行业长期合作伙伴；主动了解客户需求，不断研发创新，为客户提供绿色、节能、高效的功率半导体产品。
可易亚半导体（KIA）针对1000V超高压MOS产品进行了大量的技术革新，通过多年的产品技术积累，开发出耐压更高，导通内阻更低的超高压MOS管。超高耐压的器件主要应用场景为工业三相智能电表、LED照明驱动电源、充电桩，光伏逆变器等辅助电源。
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