【逻辑电路】CMOS门电路图文分享-KIA MOS管
CMOS门电路
MOS管
电平较低的一端被认为是源极。衬底和地相连。
晶体管状态由Vg控制。
Vg为低电平--源极和漏极之间无连接--晶体管断开--开关断开
Vg为高电平--源极和漏极之间相连接--晶体管导通--开关闭合
电平较低的一端被认为是源极。衬底和Vdd相连。
晶体管状态由Vg控制。
Vg为低电平--源极和漏极之间无连接--晶体管断开--开关断开
Vg为高电平--源极和漏极之间相连接--晶体管导通--开关闭合
MOS管的漏极D和源极S作为开关两端接在电路中，开关通断受栅极G的电压控制。
CMOS门电路
就是将PMOS与NMOS组合起来的电路
电路结构
对于输入信号给定一定值，Vff要么被PDN下拉至0，要么被PUN下拉至VDD。
PDN和PUN中晶体管的数量相同，且两个网络成对安排。
若PDN中NMOS的晶体管串行连接，则PUN中PMOS晶体管是并行连接。反之亦然。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
