图文分享增强型P沟道MOS管的开关条件-KIA MOS管
P沟道MOS管作为开关的条件（GS >GS（TH））
1、P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为2.8V，G为1.8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为2.8V
如果S为2.8V，G为2.8V，那么mos管不导通，D为0V，所以，如果2.8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。
那么和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。
如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V，那么GPIO高电平的时候为1.8V，GS为1.8-2.8=-1V，mos管导通，不能够关断。
GPIO为低电平的时候，假如0.1V，那么GS为0.1-2.8=-2.7V,mos管导通。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。
2、P沟道的源极S接输入，漏极D导通输出，N沟道相反。跟箭头方向相反的电流就是导通，方向相同就是截止。
增强型P沟道MOS管开关条件案例分析
pmos管作为开关使用时，是由Vgs的电压值来控制S（source源极）和 D（drain漏极）间的通断。
Vgs的最小阀值电压为：0.4v，也就是说当 S（source源极）电压 — G（gate栅极）极 > 0.4V 时， 源极 和 漏极导通。
并且Vs = Vd ，S极电压等于D极电压。
例如：
S极 为 3.3V，G极 为0.1V，则 Vgs = Vg — Vs = -3.2 pmos管导通，D极电压为3.3V
一般pmos管当做开关使用的时，S极和D极之间几乎没有压降。
在实际使用中，一般G极接MCU控制管脚，S极接电源正极VCC，D极接器件的输入。实际使用中的一个样例如下：
RF_CTRL为低电平的时候，RF_RXD 和 RF_TXD上的电压为 VDD。
下面电路为P沟道MOS管用作电路切换开关使用电路：
电路分析如下：
pmos的开启条件是VGS电压为负压，并且电压的绝对值大于最低开启电压，一般小功率的PMOS管的最小开启电压为0.7V左右，假设电池充满电，电压为4.2V,VGS=-4.2V，PMOS是导通的，电路是没有问题的。
当5V电压时，G极的电压为5V，S极的电压为5VV-二极管压降（0.5左右）=4.5V，PMOS管关段，当没有5V电压时，G极电压下拉为0V，S极的电压为电池电压（假设电池充满电4.2V）-MOS管未导通二极管压降（0.5V）=3.7，这样PMOS就导通，二极管压降就没有了这样VGS=-4.2V.PMOS管导通对负载供电。
在这里用一个肖特基二极管（SS12）也可以解决这个问题，不过就是有0.3V左右的电压降。这里使用PMOS管，PMOS管完全导通，内阻比较小，优于肖特基，几乎没有压降。不过下拉电阻使用的有点大，驱动PMOS不需要电流的，只要电压达到就可以了，可以使用大电阻，减少工作电流，推荐使用10K-100K左右的电阻。
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