运放电流检测电路-高端检测、低端检测电路-KIA MOS管
运放电流检测，检测方式有高端检测和低端检测两种运放电路。
高端运放电流检测
优点：可以检测区分负载是否短路
无地电平干扰
缺点：共模电压高，使用非专用分立器件设计较复杂、成本高、面积大
低端运放电流检测
优点：共模电压低，可以使用低成本的普通运算放大器
缺点：检流电阻引入地电平干扰，电流越大地电位干扰越明显，有时甚至会影响负载
举一个例子，LMV321芯片，我们对负载进行取样，使用datasheet数据手册查找此芯片数据手册。
运放电流检测电路
此处是低端电流取样检测，根据运放的虚短和虚短的原则，V-=V+；有(Vout-V-)/R=V-/R1; 这里整理公式：VOUT=V+*（R+R1）/R1.
然后我们算V+=mos流过电阻电流*R2 ，整理公式：mos流过电流电阻电流=V+/R2=VOUT*R1/(R+R1)/R2。
这里高端电流采样，根据虚短虚短关系列出关系式：（VOUT-V）R06-=(V-V)/R05，V+/R02=（VCC-V+）/R03，注意R06=R02，R05=R03，这里对称，V-VCC=采样电流I*R04。
整理最后一项公式得出采样电流I=VOUT*R05/(R06+R04).
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