关于过驱动电压Veff/Vod的分析-KIA MOS管
过驱动电压Veff/Vod定义
Veff=VGS-VTH，表示过驱动电压。
表示的是栅源电压-阈值电压。其实是一个变值，会随VGS电压变化而变化，也会受VTH的影响（体效应），其实是我们设计过程中可能会经常出现的一个名词，经常会设计一个比较固定的过驱动电压。
另外，过驱动电压也可以表示称为Vod，直观的表示就是over drive voltage。
下面通过对过驱动电压Vod的变化情况，来看下NMOS的工作区：
1、VGS>VTH，且VDS<Veff：
MOS管工作在线性区（三极管区），此时的电流是：
2、VGS>VTH，且VDS>Veff ( VDS>VGS-VTH ----> VGD<VTH )：
MOS管工作在饱和区，此时的电流是：
如果考虑沟道长度调制效应的话是：
注意：ID描述的电流方向是从D端流向MOS管的。
下面是PMOS的工作区描述：
1、|VGS|>|VTH|，且|VDS|<|Veff|：
PMOS工作在线性区（三极管区），此时的电流是：
2、|VGS|>|VTH|，且|VDS|>|Veff|：
PMOS工作在饱和区，此时的电流是：
如果考虑沟道长度调制的话是：
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