广东可易亚半导体科技有限公司

国家高新企业

cn en

应用领域

【收藏】开关电源的损耗改善方法图文-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2022-09-30 

分享到:

【收藏】开关电源的损耗改善方法图文-KIA MOS管


开关损耗的改善

输入部分损耗

1、脉冲电流造成的共模电感T的内阻损耗加大

适当设计共模电感,包括线径和匝数


2、放电电阻上的损耗

在符合安规的前提下加大放电电阻的组织


3、热敏电阻上的损耗

在符合其他指标的前提下减小热敏电阻的阻值

开关电源 损耗 改善


启动损耗

普通的启动方法,开关电源启动后启动电阻回路未切断,此损耗持续存在。


改善方法:恒流启动方式启动,启动完成后关闭启动电路降低损耗。

开关电源 损耗 改善


与开关电源工作相关的损耗

开关电源 损耗 改善


钳位电路损耗

开关电源 损耗 改善


有放电电阻存在,mos开关管每次开关都会产生放电损耗。


改善方法:用TVS钳位如下图,可免除电阻放电损耗(注意:此处只能降低电阻放电损耗,漏感能量引起的尖峰损耗是不能避免的)


开关电源 损耗 改善


当然最根本的改善办法是,降低变压器漏感。

开关电源 损耗 改善


开关管MOSFET上的损耗

mos损耗包括:导通损耗,开关损耗,驱动损耗。其中在待机状态下最大的损耗就是开关损耗。


改善办法:降低开关频率、使用变频芯片甚至跳频芯片(在空载或很轻负载的情况下芯片进入间歇式振荡)

开关电源 损耗 改善



联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号

请“关注”官方微信公众号:提供  MOS管  技术帮助

免责声明:本网站部分文章或图片来源其它出处,如有侵权,请联系删除。