体二极管的技术参数VSD、Is、trr、Qrr、ISM、IRRM
早期的
功率MOSFET常常会由于漏-源极的电流或者电压的变化速率太快而失控，或者形成漏-源极的击穿损坏。而在大功率的高速开关电路中，纯阻性负载是很少见的，即便外部负载是纯阻性的，电路的散布参数、VMOS本身的散布参数在VMOS高速开关期间，也会有时间很短但是速度很快的电压/电流变化现象。形成MOSFET易损的缘由是内部寄生的NPN晶体管在作祟。
以双扩散厂艺为代表的MOSFET消费工艺，缩短了N+源区，同时增加了P+基区，寄生的NPN晶体管被根本上抑止掉了，转而为一个PN结所替代，这就是寄生二极管（体二极管）。
但是体二极管的开关速度常常并不够快，在低速开关电路中，体二极管是很好用的续流二极管，可以有效地维护VMOS，但是在高速电路中，常常需求—个开关速度更快的二极管（如肖特基二极管）与之并联，以免由于体二极管来不及翻开形成灾难性的结果（失控或者损坏）。这无疑会增加电路本钱。
因而体二极管的性能关于VMOS而言，也是相当重要的，特别是高速开关电路中，它的性能决议了你能否需求额外增加开关速度更高的续流二极管。
体二极管的技术参数的意义如下。
源极连续电流，漏极与源极间的体二极管的最大正向连续电流，也写作IDR，意义是（漏极连续反向电流）。手册普通给出的是最大值，这个参数表征的是在VMOS关断、体二 极管开通时能接受的最大电流，电流方向与漏极电流相反，以不超越管芯的结温为限。假如仅仅表示体二极管的正向续流电流而不是最大值时，普通用IF表示；不过，在一些老产品的技术手册中，IF也表示续流电流的最大值。
IS是体二极管的电流规格，普通与VMOS的电流规格相同。因而，在紧急状况下，将源极与栅极短接起来，VMOS能够充任大电流的快恢复二极管运用。
体二极管正向压降，漏极与源极间的体二极管的正向压降，也写作（体二极管）正向压降和VF，体二极管正向压降）。VSD的是在VMOS关断、体二极管开通时，给定Is条件下，体二极管的导通压降。手册普通给出的是最大值，数值在1V左右。
源极脉冲电流（体二极管），漏极与源极间的体二极管的最大正向脉冲电流，也写作IDRP，意义是（漏极反向脉冲电流）。这个参数表征的是体二极管抗单次电流冲击的极限才能，手册普通给出的是最大值，数值上与VMOS的IDM相同。
（体二掇管）反向恢复电流，也写作Irr。这个参数表征的是体二极管关断时的结电容的充电电流。正导游通的体二极管作为续流二极管运用时，续流电流也会同时给体二极管的结电容充电，续流完毕后，体二极管并不会马上关断，这是由于结电容所存储电荷的释放而构成与续流电流方向相反的“恢复”电流，这个反向恢复电流的方向与VMOS开通时的漏极电流的方向则是相同的，从而会增加VMOs的漏极功耗。IRRM是一个疾速变化的量，技术手册普通给出的是峰值，不是一切的技术手册都给出这个参数值。
（体二极管）反向恢复时间。这个参数表征的是体二极管的结电容的电荷泄放时间，也就是IRRM的存续时间。
目前依据二极管的反向恢复时间对功率二极管的分类，普通二极管的trr>500ns:trr在300一500ns之间为快速二极管；trr在100～300ns为快恢复二极管；trr在50-100ns为超快恢复二极管；trr<10ns为肖特基二极管，如今有一些超快恢复二极管的trr在20一50ns之间。小功率开关二极管的trr般也小于20ns。
（体二极管）反向恢复电荷。这个参数表征的是体二极管的结电容在止向开通期间所存储的电荷，相当于体二极管的结电容所存储的能量。
一些产品的技术手册还会给出体二极管的反向恢复时间的降落时间(ta)、上升时间(tb)，普通而言，ta>tb。
上述诸参数能够在体二极管的电流波形上直观地表现出来（图3. 21）。
技术手册在给出体二极管的技术参数时，测试条件中会有图3。21中的di/dt参数，在给出的曲线图中，有时会采用dif/dt，由于反向恢复电流的—卜升速率更快，因而更有代表性。二者对Irr、trr、Qrr均有明显影响，对IRRM、Qrr影响是正向的，对trr的影响则是反向的。图3. 22是IRF3207的技术手册中给出的波形图，VR表示体二极管两端的最人反向恢复电压。
