CMOS器件的电学特性
MOS器件的特性受电源电压和环境温度的影响，不过由于构成CMOS的p沟、n沟晶体管受影响发作变化的状况相同，其结果在特性方面有时简直没有变化。例如，输入输出电压特性受温度的影响很小，而且即便电源电压变化，低电平／高电平输入电压与电源电压之比（例如，VIH＝0.7XVDD，VIL＝0.3VDD）不怎样变化。这是它的特性。动态工作时耗费电流（FIN-IDD)的特性主要受等效内部电容(CPD)支配，也不怎样受电源电压和温度的影响。
关于CMOS器件特性与电源电压、温度的依赖关系，表13.1和表13.2分别列出DC特性和AC特性。思索到器件的电学特性随环境温度的变化，在电子设备的电路设计中，必需留有足够的设计余量。
以CMOS规范逻辑中的门IC(2输入ANAND门(TC74VHCOOF））例，图13.1、图13.2分别示出它们典型的DC特性和AC特性。在与电源电压关系亲密的耐压、漏电流有关特性、传输延迟时间特性等方面，用Log标度表示。
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