广东可易亚半导体科技有限公司

国家高新企业

cn en

新闻中心

KNX2906B N沟道场效应管代换 60V130A HY3306参数代换-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2022-10-13 

分享到:

KNX2906B N沟道场效应管代换 60V130A HY3306参数代换-KIA MOS管


KNX2906B 60V130A HY3306参数代换-产品描述

该功率MOSFET采用KIA的先进技术生产。该技术使功率MOSFET具有更好的特性,包括快速开关时间,低导通电阻,低栅电荷,特别是优异的雪崩特性。


KNX2906B 60V130A HY3306参数代换-产品特征

RDS(打开)类型=4.6mΩ@VGS=10V

低栅电荷(典型145nC)

高坚固性

100%雪崩测试

改进的dv/dt功能


KNX2906B 60V130A HY3306参数代换-产品应用

同步整流

锂电池保护板

逆变器


KNX2906B 60V130A HY3306参数代换-产品封装

KNX2906B 60V130A HY3306参数代换


KNX2906B 60V130A HY3306参数代换-产品参数

KNX2906B 60V130A HY3306参数代换


KNX2906B 60V130A HY3306参数代换


KNX2906B N沟道场效应管 60V130A产品更多详细资料、PDF规格书请点击咨询。



联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号

请“关注”官方微信公众号:提供  MOS管  技术帮助

免责声明:本网站部分文章或图片来源其它出处,如有侵权,请联系删除。