高端MOS驱动：分立元件搭建自举电路-KIA MOS管
高端MOS为什么要自举电路
众所周知MOS是电压型驱动，只有G极比S极高一个开启电压Vth之后，MOS才会导通（这里指NMOS）。
但是如下图，用12V给G极，但是由于R7流过电流的时候存在压降（欧姆定律）。导致S极被抬高。所以给到MOS的驱动电压是G-S=12-8.42=3.58V。
在不是低压MOS中，一般datasheet建议使用10V,或者12V来进行驱动，虽然3.58V也能进行导通，但是导通电阻Rds会比用10V驱动时大很多。带来MOS发热的问题。
解决的办法有很多，比如可以用一个PMOS作为高端驱动。但是由于工艺的问题，PMOS作为高端MOS，存在性能差，想达到相同的性能价格又贵很多的问题。
这时自举电路就应运而生了。如果有这么一个电路，能给G极产生一直比S极大10V的电路，即使这个电压比电源电压还要高。
分立元件搭建自举电路
基本的概念有了，就可以用真实的电路图代替进行分析。
由于BUCK在MOS导通阶段S极是浮地的。所以必须加上自举电路来驱动。
具体分析如下：
XFG1信号发生器高电平时，Q2导通，由于Q2导通，给Q1的b极提供回路，Q1导通，经过D2和R2给MOS进行充电（Q4的b极是高电平，因为R3流过电流形成压降，所以Q4也是关闭的）。MOS导通。
XFG1信号发送器低电平时，Q2关闭，由于Q2关闭，Q1的b极没有回路，Q1关闭，这时Q4的b极有R3这个回路，所以Q4导通，MOS的G极放电。MOS关闭。
仿真了一下在100K下的波形，绿色为MOS的G极到S极的波形，红色是MOS的S到地的波形。就仿真的结果来看自举的部分还是不错的。
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