【收藏】经典NMOS开关驱动电路分享-KIA MOS管
NMOS开关驱动电路
注：
Q5：一个NMOS管。
R25/100R 的作用：
防止振荡
减少栅极充电的峰值电压
保护NMOS管的D-S及不被击穿
防止震荡，GPIO口输出端可能有些杂散的电感，在电压突变的情况下，可能会产生LC振荡，当我们加入R25之后，会提高阻尼减少振荡。
减少栅极充电的峰值电压，当栅极的电压拉高，首先对栅极的寄生电容进行充电，I=Q/t。充电的峰值电流可能大于GPIO的输出能力，为了保护IC,添加R25之后，可能有效的增长充电的时间，进而减小充电时候的电流。
从导通到截止状态，VDS电压迅速增加，如果dVDS/dt过大，可能会烧坏器件，R17的存在可以让栅极电容缓慢放电，从而保护mos管。
R26 10K的作用：
下拉型抗干扰电阻，GPIO输出状态下，在Nmos端，可以看出mos端处于一个高阻态或者悬浮的一个状态，为了避免意外打开mos管，加上了个10k下拉。
KIA半导体是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业，竭诚服务全球开关电源、绿色照明、电机驱动、汽车电子、新能源充电桩、太阳能设备、数码家电、安防工程等行业长期合作伙伴，主动了解客户需求，不断研发创新，为客户提供绿色、节能、高效的功率半导体产品。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
