开关瞬态阶段SiC MOSFET建模分析-KIA MOS管
开关瞬态分析建模
图 1 显示了处于开关瞬态阶段的 SiC MOSFET 建模过程，该过程基于电感钳位电路，该电路具有很少的关键寄生参数 Cgs、Cds 和 Cgd。由于寄生参数对 SiC MOSFET 的特性有很大影响，因此在建模时应给予重要考虑。
图 1：电感钳位电路的拓扑结构
开启状态的表征
开启瞬态还有 4 个子阶段。这四个子阶段显示了电感钳位电路中栅极和功率栅极回路之间的关系。
这些子阶段被命名为：
子阶段 S11（开启延迟）
子级 S12（电流换向）
子级 S13（电压换向）
子阶段 S14（开启振铃）
关断状态的表征
正如在 Turn-on 中一样，Turn-off 状态的表征也包括 4 个子阶段。在这里可以正确地说，子级 S11（接通延迟）、子级 S12（电流换向）和子级 S13（电压换向）在接通状态下使用的机制是相似的用于后续步骤，例如 S21（关断延迟）、S22（电压换向）和 S23（电流换向）。唯一的变化是在称为 S24 的关闭振铃阶段。
结电容和跨导建模
CV 特性曲线说明了基于 Si 的器件和结电容的 SiC MOSFET 非线性。CV 特性的曲线拟合具有解释这些电容建模的能力。
图 2 显示了拟合和测量的 CV 特性曲线之间的比较，而图 3 显示了拟合和测量的 IV 特性曲线之间的比较，这允许表征跨导。
使用 FSM 对开关状态进行建模
FSM 的采用说明了开关瞬态过程中子级的相互作用。图 4 显示了 FSM 的流程图。表 1 和表 2 分别显示了 FSM 在导通和关断瞬态期间的重要特性。
图 4：FSM 流程图
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