图文详解：MOSFET和BJT之间的区别-KIA MOS管

场效应晶体管(MOSFET)和双极结型晶体管(BJT)是两种封装形式各异的晶体管，虽然MOSFET和BJT都是晶体管，但它们的工作方式不同，表现出不同的行为，因此它们的使用方式不同。

什么是MOSFET？

金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种场效应晶体管(FET)，由三个端子-栅极、源极和漏极组成。在MOSFET中，漏极由栅极端的电压控制，因此MOSFET是一种电压控制器件。施加在栅极上的电压控制流入漏极的电流量。

MOSFET有两种类型，“p沟道”和“n沟道”。这两种类型都可以处于增强或耗尽模式（见图1）。这意味着总共有四种不同类型的MOSFET。

在p沟道MOSFET中，源极和漏极端子由p型半导体制成。同样，在n沟道MOSFET中，源极和漏极端子由n型半导体制成。栅极端子本身由金属制成，并使用金属氧化物与源极和漏极端子分离。

这种绝缘水平源于低功耗，是此类晶体管的主要优势。这通常会看到MOSFET用于低功率设备或作为构建模块来降低功耗。

耗尽模式：当栅极端电压低时，通道呈现最大电导。由于栅极端电压为正或负，沟道电导率降低。

增强模式：当栅极端电压较低时，除非向栅极端施加更多电压，否则器件不导通。

什么是BJT？

双极结型晶体管(BJT)是一种电流驱动器件（相比之下，MOSFET是电压驱动的），广泛用作放大器、振荡器或开关等。BJT具有三个引脚（基极、集电极和发射极）和两个结：p结和n结。

BJT有两种类型——PNP和NPN。每种类型都有一个大的集电极元件和一个大的发射极元件，它们以相同的方式掺杂。在这些结构之间是一小层称为“基础”的其他掺杂剂。电流流入PNP的集电极并流出发射极。

在NPN中，极性相反，电流流入发射极并流出集电极。在任何一种情况下，基极中的电流方向都与集电极相同。

从根本上说，BJT晶体管的操作是由其基极端子上的电流决定的。例如，小的基极电流等于小的集电极电流。BJT的输出电流始终等于输入电流乘以一个称为“增益”的系数，通常是基极电流的10-20倍。

MOSFET与BJT之间有何不同？

MOSFET和BJT之间有很多不同之处：

（1）MOSFET（电压控制）是金属氧化物半导体，而BJT（电流控制）是双极结型晶体管。

（2）虽然两者都有三个终端，但它们有所不同。MOSFET具有源极、漏极和栅极，而BJT具有基极、发射极和集电极。

（3）MOSFET是高功率应用的理想选择，而BJT更常用于低电流应用。

（4）BJT取决于其基极端子上的电流，而MOSFET取决于氧化物绝缘栅电极上的电压。

（5）MOSFET的结构本质上比BJT的结构更复杂。

MOSFET和BJT之间哪个更好？

MOSFET和BJT都具有独特的特性和各自的优缺点。但是，我们不能说哪个“更好”，因为这个问题非常主观。这个问题没有一个直接而明确的答案。

在选择在项目中使用哪个时，必须考虑许多不同的因素才能做出决定。其中包括功率电平、驱动电压、效率、成本和开关速度等——这是了解项目真正有帮助的地方。

通常，MOSFET在电源中的效率通常更高。例如，在负载可变且电源有限的电池供电设备中，使用BJT将是一个坏主意。但是，如果BJT用于为具有可预测电流消耗的东西（例如LED）供电，那么这很好，因为可以将基极-发射极电流设置为LED电流的一小部分以获得更高的效率。

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