三种小信号模型及跨导详解-KIA MOS管
小信号模型、跨导
数学中我们有一个经典的思想：微分思想。
设函数y=f(x)在x0及其附近有定义，如果函数值f(x)在点x0处的改变量Δf(x0)可以表示成自变量改变量的一次项a(x0)Δx与自变量改变量的高阶无穷小量o(Δx)之和，即
Δf(x0)=a(x0)Δx+o(Δx)，则称函数f(x)在x0处可微，a(x0)Δx称为f(x)在x0处的微分，记作df(x0)=a(x0)Δx。
在小信号分析中，我们利用这个特点去求交流变化量产生的电流影响。求完之后，再加上输入的直流偏置信号，就可以得到实际的电流值。
举个例子，比如输入的栅源信号是Vgs+VGS，分析小信号时，只看Vgs，这样在电路中其作用产生的Ids为IDS关于VGS（直流信号）求偏导后乘以Vgs，这里的IDS关于VGS求偏导就定义为跨导gm。对于一个mos，常见的跨导有三类：gm、gds、gmb。
三种小信号模型
根据数学式子的一步步推导，我们可以得到IDS的电流为
如果只看交流信号有
1.只考虑栅源电压
该形式只考虑栅源电压对电路各处的影响。
2.在01基础上考虑沟道长度调制效应
有两种形式，因为两端电压Vds的不变性，可以等效为一个阻抗。
3.在02的基础上再考虑体效应
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