驱动IC控制的MOS管开关电路实例分析-KI MOS管
在设计MOS管驱动电路时，要满足的首要条件就是Vgs电压大于Vth开启电压，一般来说Source极是接地的，所以我们一般关注的是Gate电压，但是在一些特殊的应用场合中，比如H桥驱动电机时，这个时候MOS管的S极可能并不直接接地，那么我们应该如何控制MOS管的开关呢？这时候就需要用到专门的MOS驱动IC了。
实例分析
专门的驱动IC为了实现快速开关MOS，一般内部会集成自举电路，从而可以提供高于电源电压的驱动电压来快速开关MOS,以DGD0506为例，虽然该IC的供电电源电压是15V，但是它却能提供高达50V的驱动电压输出。
VB和VS引脚之间的电容就是自举电容，是完成升压的核心器件。从下面的电路我们可以看出来，驱动IC的Vs引脚直接接到了MOS的Source极，这样就解决了没有GND作为Source极电压参考的问题。
另外，如果我们用分立器件搭建半桥驱动电路来驱动电机时，一旦软件出现BUG，两个MOS同时导通，相当于VCC和GND直连了，那么两个MOS上会出现很大的短路电流，可能会烧毁MOS，集成MOS内部有死区时间控制，能够从硬件上避免两个MOS同时导通的情况出现；
简单来说就是我们在开启一个MOS时，会硬件延时，而这段硬件延时时间能充分保证另一个MOS已经关闭了，我们可以通过调整DT引脚上连接的电阻来调整死区保护时间。
总结来说，使用IC驱动MOS减少了外围分立器件，并且能大大扩展驱动电压以及应用场景，当然，这也会导致成本的上升，所以还是要基于需求来搭建驱动电路，如果你得MOS管开关电路没有开关时间的要求，并且也不是驱动H桥这种电路，只是用于简单的负载开关，这个时候考虑一下电流，MOS管的温升，如果都比较合理的话，那用MCU直驱也是可以的。
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